盖世汽车讯 7月17日，无晶圆厂制造商Alliance Memory宣布扩大其高速CMOS移动低功耗SDRAM的产品范围，推出四款不同密度的新型LPDDR4X器件:2Gb AS4C128M16MD4V-062BAN、4Gb AS4C256M16MD4V-062BAN、8Gb AS4C512M16MD4V-053BIN和16Gb AS4C512M32MD4V-053BIN，可在200球FBGA封装中，额定功率降低约为50%，从而实现更高的能效。
郑重声明：此文内容为本网站转载企业宣传资讯，目的在于传播更多信息，与本站立场无关。仅供读者参考，并请自行核实相关内容。
